В Томске разработали диоды нового поколения на основе оксида галлия
Новые диоды будут востребованы в разных областях производства. Источник: news.tsu.ru
Аспирант радиофизического факультета ТГУ Никита Яковлев, работающий в центре «Перспективные технологии в микроэлектронике», представил лабораторные образцы диодов на основе оксида галлия. Эти полупроводники относятся к четвертому поколению материалов, обладающих высокой устойчивостью к напряжению, низким энергопотреблением и компактными размерами. Разработка ведется в рамках проекта «Силовой диод 1 kV-класса с барьером Шоттки на основе Ga2O3», поддержанного Фондом содействия инновациям.
Как поясняет Никита Яковлев, оксид галлия существенно превосходит традиционные материалы, такие как нитрид галлия и кремний. В настоящее время Китай лидирует в разработке таких полупроводников, но Россия также активно включается в эту гонку, стремясь к технологической независимости.
Аспирант ТГУ Никита Яковлев и его научный руководитель Алексей Алмаев. Источник: news.tsu.ru
Первые испытания лабораторных образцов уже проведены на базе центра «Перспективные технологии в микроэлектронике» ТГУ. Сейчас команда разработчиков сосредоточена на оптимизации производственного процесса, чтобы повысить процент выхода годных диодов.
Создание диодов на оксиде галлия — важный шаг в развитии российской микроэлектроники. Внедрение таких решений позволит не только сократить энергопотребление устройств, но и укрепить позиции страны на мировом рынке высоких технологий.
Ранее ученые МФТИ и Федерального исследовательского центра проблем химической физики и медицинской химии РАН получили гибридный люминофор в форме коллоидных квантовых точек — кристаллофосфор фосфида индия, допированного марганцем.
последние события
Дайджест информационных ресурсов по тематике радиоэлектронной промышленности
Мы заботимся о том, чтобы вы были в курсе не только главных событий, но и предстоящих мероприятий.
читать далееВ ОЭЗ «Технополис Москва» запущено производство полетных контроллеров
Компания ОЭЗ «Технополис Москва» «Индустриальный компонент» на площадке «Алабушево» наладила выпуск микрочипов и электротехнических изделий.
читать далееЦентр по развитию беспилотных технологий Омской области получил аккредитацию Минпромторга РФ
Центр будет заниматься разработкой и производством беспилотников для различных отраслей.
читать далееВ Томске разработали диоды нового поколения на основе оксида галлия
В Томском государственном университете разработаны диоды нового поколения на основе оксида галлия, способные выдерживать напряжение свыше 1000 вольт.
читать далееПроизводство печатных плат в России через два года вырастет на 120%
По прогнозу «Консорциума печатных плат», одноименный рынок к 2027 г. вырастет почти на 120% до 54,3 млн кв. дм в год. Если российские компании будут придерживаться планов по развитию мощностей. Пока отечественная продукция занимает лишь 19% на рынке, остальное — импорт.
читать далееУфимский НИИ Роснефти создал цифрового помощника для обследования газовых скважин
Разработка получила авторский патент и готова к внедрению.
читать далееРостех разработает цифровую систему для доступа к аэронавигационной информации
В госкорпорации совместную работу над проектом поручили предприятиям «Азимут» и «Алмаз-Антей».
читать далееДайджест информационных ресурсов по тематике радиоэлектронной промышленности.
Главные новости за 30.07.25-31.07.25
читать далее
Помощник
Ваш запрос отправлен в проработку