события

        

В Томске разработали диоды нового поколения на основе оксида галлия

Аспирант радиофизического факультета ТГУ Никита Яковлев, работающий в центре «Перспективные технологии в микроэлектронике», представил лабораторные образцы диодов на основе оксида галлия. Эти полупроводники относятся к четвертому поколению материалов, обладающих высокой устойчивостью к напряжению, низким энергопотреблением и компактными размерами. Разработка ведется в рамках проекта «Силовой диод 1 kV-класса с барьером Шоттки на основе Ga2O3», поддержанного Фондом содействия инновациям.
Российские ученые разработали диоды на основе оксида галлия для микроэлектроники - Google Chrome.jpg
Новые диоды будут востребованы в разных областях производства. Источник: news.tsu.ru

Аспирант радиофизического факультета ТГУ Никита Яковлев, работающий в центре «Перспективные технологии в микроэлектронике», представил лабораторные образцы диодов на основе оксида галлия. Эти полупроводники относятся к четвертому поколению материалов, обладающих высокой устойчивостью к напряжению, низким энергопотреблением и компактными размерами. Разработка ведется в рамках проекта «Силовой диод 1 kV-класса с барьером Шоттки на основе Ga2O3», поддержанного Фондом содействия инновациям.

Как поясняет Никита Яковлев, оксид галлия существенно превосходит традиционные материалы, такие как нитрид галлия и кремний. В настоящее время Китай лидирует в разработке таких полупроводников, но Россия также активно включается в эту гонку, стремясь к технологической независимости.

2.jpg

Аспирант ТГУ Никита Яковлев и его научный руководитель Алексей Алмаев. Источник: news.tsu.ru

Первые испытания лабораторных образцов уже проведены на базе центра «Перспективные технологии в микроэлектронике» ТГУ. Сейчас команда разработчиков сосредоточена на оптимизации производственного процесса, чтобы повысить процент выхода годных диодов.


Создание диодов на оксиде галлия — важный шаг в развитии российской микроэлектроники. Внедрение таких решений позволит не только сократить энергопотребление устройств, но и укрепить позиции страны на мировом рынке высоких технологий.


Ранее ученые МФТИ и Федерального исследовательского центра проблем химической физики и медицинской химии РАН получили гибридный люминофор в форме коллоидных квантовых точек — кристаллофосфор фосфида индия, допированного марганцем.

Источник: https://science.mail.ru/news/5918-v-tomske-razrabotali-diody-novogo-pokoleniya-na-osnove-oksida-gall...





подписка на публикации

последние события

14.10.25

Первая российская установка для выращивания полупроводников в космосе отправлена на МКС

Ученые из Института физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН по заказу Ракетно-космической корпорации «Энергия» разработали установку для синтеза полупроводниковых материалов в космосе.

читать далее
10.10.25

Студент новосибирского вуза придумал быстрый способ тестировать моторы дронов

Студент создаёт специальный прибор — стенд, который будет проверять, как работают моторы и пропеллеры у беспилотников.

читать далее
07.10.25

В России разработаны компоненты для радиоаппаратуры для замены американских аналогов Analog Devices и Linear Technology

Российское предприятие НПП «Пульсар» (Москва) анонсировало завершение разработки и начало серийного производства в 2025 году новых отечественных комплектующих.

читать далее
06.10.25

Начато производство российских кварцевых резонаторов для замены импортных аналогов

В Омске создали новый автоматизированный производственный участок для выпуска кварцевых резонаторов в объемах до 300 000 единиц в год.

читать далее
03.10.25

Росатом построит в Свердловской области завод композитов

О строительстве предприятия договорилась администрация региона области и госкорпорация «Росатом».

читать далее
30.09.25

Дайджест информационных ресурсов по тематике радиоэлектронной промышленности

Мы заботимся о том, чтобы вы были в курсе не только главных событий, но и предстоящих мероприятий.

читать далее
26.09.25

Прорыв в конструировании сверхпроводников: уникальный металл даёт новые возможности для создания материалов с заданными квантовыми эффектами

Открытие международной команды специалистов открывает путь к созданию принципиально новых квантовых материалов, которые в будущем могут лечь в основу сверхпроводящей электроники, топологических изоляторов и устройств спинтроники.

читать далее
23.09.25

Главное событие отрасли: Форум «Микроэлектроник 2025» открыт!

Делегаты форума обсудят стратегию обеспечения национального технологического суверенитета в микроэлектронике, ход реализации программ развития отрасли, меры господдержки, вопросы кадрового обеспечения и другие темы.

читать далее


Помощник Помощник