события
15.08.25
В Томске разработали диоды нового поколения на основе оксида галлия
В Томском государственном университете разработаны диоды нового поколения на основе оксида галлия, способные выдерживать напряжение свыше 1000 вольт.
Помощник
Ваш запрос отправлен в проработку